Fiziki buxarın çökdürülməsi (PVD) prosesində üç mərhələ var: Xammaldan hissəciklərin emissiyası; Hissəciklər substrata daşınır; Hissəciklər kondensasiya olunur, nüvələşir, böyüyür və substratda filmlənir.

Kimyəvi buxar çökmə (CVD), adından da göründüyü kimi, atomik və molekulyar kimyəvi reaksiyalar vasitəsilə bərk filmlər yaratmaq üçün qazlı prekursor reaktivlərindən istifadə edir. Qeyd etmək lazımdır ki, kimyəvi buxar çökdürmə (CVD) yüksək keyfiyyətli yarımkeçirici kristal epitaksiyada və müxtəlif izolyasiya filmlərinin hazırlanmasında geniş istifadə olunur. Məsələn, MOS FET-də CVD tərəfindən yığılan filmlərə polikristal Si, SiO2, sin və s.