Ci hè trè tappe in u prucessu di deposizione di vapore fisicu (PVD): Emissione di particelle da materie prime; I particeddi sò trasportati à u sustrato; I particeddi cundensanu, nucleate, crescenu è filmanu nantu à u sustrato.

A deposizione chimica di vapore (CVD), cum'è u nome implica, usa reagenti precursori di gasu per furmà filmi solidi per reazzione chimica atomica è moleculare. Hè da nutà chì a deposizione chimica di vapore (CVD) hè largamente usata in l'epitassia di cristalli semiconductori d'alta qualità è a preparazione di diversi filmi isolanti. Per esempiu, in MOS FET, i filmi dipositati da CVD includenu Si policristalinu, SiO2, sin, etc.