Hay tres etapas en el proceso de deposición física de vapor (PVD): Emisión de partículas de materias primas; Las partículas se transportan al sustrato; las partículas se condensan, nuclean, crecen y forman una película sobre el sustrato.

La deposición química de vapor (CVD), como su nombre lo indica, utiliza reactivos precursores gaseosos para formar películas sólidas a través de reacciones químicas atómicas y moleculares. Vale la pena mencionar que la deposición química de vapor (CVD) se usa ampliamente en la epitaxia de cristal semiconductor de alta calidad y en la preparación de varias películas aislantes. Por ejemplo, en MOS FET, las películas depositadas por CVD incluyen Si policristalino, SiO2, sen, etc.