Il y a trois étapes dans le processus de dépôt physique en phase vapeur (PVD) : Émission de particules à partir des matières premières ; Les particules sont transportées vers le substrat ; les particules se condensent, nucléent, croissent et se filment sur le substrat.

Le dépôt chimique en phase vapeur (CVD), comme son nom l'indique, utilise des réactifs précurseurs gazeux pour former des films solides par le biais de réactions chimiques atomiques et moléculaires. Il convient de mentionner que le dépôt chimique en phase vapeur (CVD) est largement utilisé dans l'épitaxie de cristaux semi-conducteurs de haute qualité et la préparation de divers films isolants. Par exemple, dans le MOS FET, les films déposés par CVD comprennent du Si polycristallin, du SiO2, du sin, etc.