A fizikai gőzlerakódás (PVD) folyamatának három szakasza van: A nyersanyagokból származó részecskék kibocsátása; A részecskék a szubsztrátumra kerülnek; A részecskék kondenzálódnak, gócképződnek, nőnek és filmeződnek a hordozón.

A kémiai gőzfázisú leválasztás (CVD), ahogy a neve is sugallja, gáznemű prekurzor reagenseket használ, hogy atomi és molekuláris kémiai reakciókon keresztül szilárd filmeket képezzenek. Érdemes megemlíteni, hogy a kémiai gőzleválasztást (CVD) széles körben alkalmazzák a kiváló minőségű félvezető kristály epitaxiában és különféle szigetelő fóliák készítésében. Például a MOS FET-ben a CVD-vel lerakott filmek közé tartozik a polikristályos Si, SiO2, sin stb.