Физикалық буларды тұндыру (PVD) процесінде үш кезең бар: Шикізаттан бөлшектердің шығарылуы; Бөлшектер субстратқа тасымалданады; Бөлшектер конденсацияланады, ядроланады, өседі және субстратта қабыршақтанады.

Химиялық буларды тұндыру (CVD), аты айтып тұрғандай, атомдық және молекулалық химиялық реакциялар арқылы қатты қабықшаларды қалыптастыру үшін газ тәрізді прекурсорлардың реактивтерін пайдаланады. Айта кетейік, химиялық буларды тұндыру (ХТҚ) жоғары сапалы жартылай өткізгішті кристалды эпитаксисте және әртүрлі оқшаулағыш пленкаларды дайындауда кеңінен қолданылады. Мысалы, MOS FET-те CVD арқылы тұндырылған пленкаларға поликристалды Si, SiO2, sin және т.б.