Et ginn dräi Etappen am Prozess vun der kierperlecher Dampdepositioun (PVD): Emissioun vu Partikelen aus Rohmaterial; D'Partikele ginn an de Substrat transportéiert; D'Partikel kondenséieren, nukleéieren, wuessen a filmen um Substrat.

Chemesch Dampdepositioun (CVD), wéi den Numm et scho seet, benotzt gasfërmeg Virgängerreaktanten fir zolidd Filmer duerch atomar a molekulare chemesch Reaktiounen ze bilden. Et ass derwäert ze ernimmen datt chemesch Dampdepositioun (CVD) wäit an der qualitativ héichwäerteger Halbleiterkristallepitaxie an der Virbereedung vu verschiddenen Isoléierfilmer benotzt gëtt. Zum Beispill, am MOS FET, enthalen d'Filmer, déi vum CVD deposéiert sinn, polykristallin Si, SiO2, Sin, etc.