Terdapat tiga peringkat dalam proses pemendapan wap fizikal(PVD): Pembebasan zarah daripada bahan mentah; Zarah-zarah diangkut ke substrat; Zarah-zarah terpeluwap, nukleus, tumbuh dan filem pada substrat.

Pemendapan wap kimia (CVD), seperti namanya, menggunakan bahan tindak balas prekursor gas untuk membentuk filem pepejal melalui tindak balas kimia atom dan molekul. Perlu dinyatakan bahawa pemendapan wap kimia (CVD) digunakan secara meluas dalam epitaksi kristal semikonduktor berkualiti tinggi dan penyediaan pelbagai filem penebat. Sebagai contoh, dalam MOS FET, filem yang didepositkan oleh CVD termasuk polihabluran Si, SiO2, sin, dsb.