Er zijn drie fasen in het proces van fysieke dampafzetting (PVD): Emissie van deeltjes uit grondstoffen; De deeltjes worden naar het substraat getransporteerd; De deeltjes condenseren, kiemen, groeien en filmen op het substraat.

Chemische dampafzetting (CVD), zoals de naam al aangeeft, gebruikt gasvormige precursorreactanten om vaste films te vormen door middel van atomaire en moleculaire chemische reacties. Het is vermeldenswaard dat chemische dampafzetting (CVD) veel wordt gebruikt in hoogwaardige halfgeleiderkristalepitaxie en de voorbereiding van verschillende isolerende films. In MOS FET omvatten de films die door CVD worden afgezet bijvoorbeeld polykristallijn Si, SiO2, sin, enz.