В процессе физического осаждения из паровой фазы (PVD) выделяют три этапа: выделение частиц из сырья; Частицы переносятся на подложку; частицы конденсируются, зарождаются, растут и образуют пленку на подложке.

Химическое осаждение из паровой фазы (CVD), как следует из названия, использует газообразные реагенты-предшественники для формирования твердых пленок посредством атомарных и молекулярных химических реакций. Следует отметить, что химическое осаждение из паровой фазы (CVD) широко используется в высококачественной эпитаксии полупроводниковых кристаллов и получении различных изолирующих пленок. Например, в МОП-транзисторах пленки, нанесенные методом CVD, включают поликристаллический Si, SiO2, sin и т. д.