Дар раванди таҳшиншавии буғи физикӣ (PVD) се марҳила вуҷуд дорад: Партоби зарраҳо аз ашёи хом; Зарраҳо ба субстрат интиқол дода мешаванд; Зарраҳо конденсатсия мешаванд, ядро ​​​​мешаванд, афзоиш меёбанд ва дар рӯи субстрат мепӯшанд.

Ҷойгиркунии буғи кимиёвӣ (CVD), тавре ки аз ном бармеояд, реактивҳои пешгузаштаи газро барои ташаккули филмҳои сахт тавассути реаксияҳои химиявии атомӣ ва молекулавӣ истифода мебарад. Бояд гуфт, ки пошидани буғи химиявӣ (CVD) дар эпитаксияҳои кристаллии нимноқилҳои баландсифат ва тайёр кардани плёнкаҳои гуногуни изолятсионӣ васеъ истифода мешавад. Масалан, дар MOS FET, филмҳои аз ҷониби CVD гузошташуда Si, SiO2, sin ва ғайраро дар бар мегиранд.