Fiziki buglaryň çökdürilmegi (PVD) prosesinde üç basgançak bar: Çig maldan bölejikleriň çykmagy; Bölejikler substrata daşalýar; bölejikler substratda kondensirlenýär, nukleat bolýar, ösýär we film bolýar.

Himiki bug buglanyşy (CVD), adyndan görnüşi ýaly, atom we molekulýar himiki reaksiýalar arkaly gaty filmleri emele getirmek üçin gazly prekursor reaktiwlerini ulanýar. Himiki bug buglanyşynyň (CVD) ýokary hilli ýarymgeçiriji kristal epitaksiýasynda we dürli izolýasiýa filmlerini taýýarlamakda giňden ulanylýandygyny bellemelidiris. Mysal üçin, MOS FET-de CVD tarapyndan goýlan filmlerde polikristally Si, SiO2, günä we ş.m. bar.