Fiziksel buhar biriktirme (PVD) sürecinde üç aşama vardır: Hammaddelerden partikül emisyonu; Partiküller substrata taşınır; Partiküller substrat üzerinde yoğunlaşır, çekirdeklenir, büyür ve film çeker.

Kimyasal buhar biriktirme (CVD), adından da anlaşılacağı gibi, atomik ve moleküler kimyasal reaksiyonlar yoluyla katı filmler oluşturmak için gaz halindeki öncü reaktanları kullanır. Kimyasal buhar biriktirme (CVD)'nin yüksek kaliteli yarı iletken kristal epitaksi ve çeşitli yalıtkan filmlerin hazırlanmasında yaygın olarak kullanıldığını belirtmekte fayda var. Örneğin, MOS FET'te, CVD tarafından biriktirilen filmler polikristal Si, SiO2, sin vb. içerir.