Физик парны чүпләү процессында өч этап бар: чималдан кисәкчәләр чыгару; Кисәкчәләр субстратка ташыла; кисәкчәләр конденса, нуклеат, үсә һәм субстратта пленка.

Химик пар парламенты (CVD), исеменнән күренгәнчә, атом һәм молекуляр химик реакцияләр аша каты фильмнар формалаштыру өчен газлы прекурсор реакторларын куллана. Әйтергә кирәк, химик пар парламенты (CVD) югары сыйфатлы ярымүткәргеч кристалл эпитаксында һәм төрле изоляцион фильмнар әзерләүдә киң кулланыла. Мәсәлән, MOS FET-та, CVD урнаштырган фильмнарда поликристалл Si, SiO2, гөнаһ һ.б.