物理氣相沉積 (PVD) 的過程分為三個階段： 原材料的顆粒排放；顆粒被輸送到基材上；顆粒在基材上凝聚、成核、生長並成膜。

化學氣相沉積（CVD），顧名思義，就是利用氣態前驅反應物，通過原子和分子化學反應形成固體薄膜。值得一提的是，化學氣相沉積（CVD）廣泛應用於高質量半導體晶體外延和各種絕緣薄膜的製備。例如，在 MOS FET 中，通過 CVD 沉積的薄膜包括多晶 Si、SiO2、sin 等。